[发明专利]用于形成具有多个沟道的屏蔽栅沟槽FET的结构和方法

摘要

场效应晶体管(FET)包括一对延伸进入半导体区中的沟槽。每个沟槽包括位于沟槽底部中的第一屏蔽电极和位于沟槽上部的栅电极，该栅电极位于屏蔽电极的上方但与该屏蔽电极绝缘。第一导电类型的第一阱区和第二阱区在沟槽对之间半导体区中横向延伸并邻接该沟槽对的侧壁。该第一阱区和第二阱区通过第二导电类型的第一漂移区彼此垂直地隔开。栅电极和第一屏蔽电极相对于第一阱区和第二阱区设置，以使得当FET在导通状态下偏置时，在第一阱区和第二阱区的每一个中形成沟道。

主权项

一种场效应晶体管(FET)，包含：延伸进入半导体区的一对沟槽；第一屏蔽电极，位于每个沟槽的下部中；栅电极，位于每个沟槽的上部中，所述栅电极位于所述屏蔽电极上方但通过极间电介质与所述屏蔽电极绝缘；和第一导电类型的第一阱区和第二阱区，其在所述沟槽对之间的所述半导体区中横向延伸，所述第一阱区和第二阱区邻接所述沟槽对的侧壁，所述第一阱区和第二阱区通过第二导电类型的第一漂移区垂直地彼此间隔，其中，所述栅电极和所述第一屏蔽电极相对于所述第一阱区和第二阱区设置，以使得当所述FET在导通状态下偏置时，在所述第一阱区和第二阱区的每一个中形成沟道。