[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。

主权项

一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上以沿第一方向延伸的方式相互平行地形成的多个第一配线；形成于所述基板和所述第一配线上的层间绝缘层；贯通所述第一配线上的所述第一层间绝缘层的导通孔；形成于所述导通孔的上部开口的下侧、且与所述第一配线电连接的电阻变化层；第一电极层，其形成为与所述电阻变化层电连接、覆盖所述导通孔的上部开口的整个面、并且在该开口的全周向外扩展；和覆盖所述第一电极层的上表面和侧面，且以从所述层间绝缘层的厚度方向看时沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的方式相互平行地形成的多个第二配线，所述第二配线各自包括：以覆盖所述第一电极层的上表面和侧面的方式形成的电流控制层；和以覆盖所述电流控制层的上表面和所述电流控制层的侧面中的覆盖所述第一电极层的侧面的侧面的方式形成的第二电极层。