[发明专利]用于沉积三元氧化物栅极电介质的方法及由此形成的结构无效
| 申请号： | 200880108867.1 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102132379A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | M·R·布雷热;M·V·梅茨;M·L·麦克斯威尼;M·库恩;M·L·哈藤多夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。这些方法可以包括将第一金属源、第二金属源和氧源引入至腔中，然后形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的第一金属、第二百分比的第二金属以及第三百分比的氧。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 三元 氧化物 栅极 电介质 方法 由此 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将第一金属源、第二金属源以及氧源引入至腔中；以及形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的所述第一金属、第二百分比的所述第二金属以及第三百分比的氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
