[发明专利]用于沉积三元氧化物栅极电介质的方法及由此形成的结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

将第一金属源、第二金属源以及氧源引入至腔中；以及

形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的所述第一金属、第二百分比的所述第二金属以及第三百分比的氧。

2.如权利要求1所述的方法，还包括其中在ALD沉积工艺中脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源中的一种，然后脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属中的另一种，然后脉冲输送所述氧源。

3.如权利要求1所述的方法，还包括其中在ALD沉积工艺中同时脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源，然后脉冲输送所述氧源。

4.如权利要求1所述的方法，还包括其中最初在ALD沉积工艺中脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源中的一种以及随后的所述氧源，然后脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源中的另一种以及随后的所述氧源。

5.如权利要求4所述的方法，其中以一系列脉冲交替脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源中的所述一种以及所述氧源，然后以一系列脉冲交替脉冲输送所述第一金属源和所述第二金属源中的所述另一种以及所述氧源。

6.如权利要求1所述的方法，还包括其中在所述三元氧化物膜的整个形成中改变所述第一金属源和所述第二金属源中的一种的脉冲与所述第一金属源和所述第二金属源中的另一种的脉冲的比率。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属源和所述第二金属源包括如下的至少一种：氯化铪、氨化铪、醇化铪、三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)镧[La(THD)₃]、三(6-乙基-2，2-二甲基-3，5-癸烷-二酮)镧[La(EDMDD)₃]、三(烷基环戊二烯基)镧、氯化锆、氨化锆、醇化锆、四氯化硅、四(二甲氨基)硅、以及六甲基二硅氮烷、五(二甲酰氨基)钽、三二甲胺、N，N′-二甲基乙二胺-钽、叔丁酰亚胺三(二乙酰氨基)钽、醇化钽和叔戊基酰亚胺三(二甲酰氨基)钽、三甲基铝、铝烷和取代的铝烷。

8.如权利要求1所述的方法，还包括其中所述氧源包括水、氧和臭氧中的至少一种。

9.如权利要求1所述的方法，还包括其中所述三元氧化物包括铪、锆、硅、硅、氧、铝、钇、镧系元素、钛和钽中的至少一种。

10.如权利要求1所述的方法，还包括其中所述三元氧化物膜包括栅极氧化物，并且其中所述第一百分比和所述第二百分比中的一个包括从大约1％到大约99％。

11.一种方法，包括：

将混合源引入至腔中，其中所述混合源包括第一金属源和第二金属源；

将氧源引入至腔中；以及

形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的所述第一金属、第二百分比的所述第二金属以及第三百分比的氧。

12.如权利要求11所述的方法，还包括其中所述第一和所述第二金属源包括易混合的液体前体，并且其中将所述第一金属源和所述第二金属源混合以形成包括一摩尔比的混合物，其中所述摩尔比确定所述三元氧化物膜的最终成分。

13.如权利要求11所述的方法，其中利用ALD工艺交替脉冲输送所述混合源和所述氧源。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述第一百分比和所述第二百分比中的一个可以包括从大约1％到大约99％。

15.一种结构，包括：

包括第一二元氧化物和第二二元氧化物的栅极氧化物，其中所述第一二元氧化物和所述第二二元氧化物包括第一金属和第二金属。

16.如权利要求15所述的结构，其中所述第一金属和所述第二金属包括Hf、Zr、Si、Al、Y、镧系元素、Ti和Ta中的至少一种。

17.如权利要求15所述的结构，其中所述栅极氧化物包括所述第一二元氧化物和所述第二氧化物的混合物。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述栅极氧化物的厚度包括大约30埃以下。

19.如权利要求15所述的结构，其中所述栅极氧化物被设置在二氧化硅层上，并且金属栅极被设置在所述栅极氧化物上，并且其中所述栅极氧化物包括高k栅极氧化物，并且其中所述二氧化硅层被设置在晶体管结构的沟道区上。