[发明专利]用于制造不同高度的相邻硅鳍的方法

摘要

一种用于制造不同高度的相邻硅鳍的方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底具有沉积在其上的隔离层，对所述隔离层进行构图以形成第一和第二隔离结构，对所述硅衬底进行构图以形成在所述第一隔离结构下方的第一硅鳍以及在所述第二隔离结构下方的第二硅鳍，在所述衬底上沉积绝缘层；平坦化所述绝缘层以暴露所述第一和第二隔离结构的顶表面，沉积掩蔽层且对所述掩蔽层进行构图以掩蔽所述第一隔离结构但不掩蔽所述第二隔离结构，应用湿法蚀刻以去除所述第二隔离结构且暴露所述第二硅鳍，在所述第二硅鳍上外延沉积硅层，以及使所述绝缘层凹陷以暴露所述第一硅鳍的至少一部分和所述第二硅鳍的至少一部分。

主权项

一种方法，包括：在半导体衬底上制造第一和第二硅鳍，其中，每一硅鳍包括在其顶表面上的隔离结构；在所述半导体衬底上沉积绝缘层；形成掩蔽所述第一硅鳍但不掩蔽所述第二硅鳍的掩蔽结构；从所述第二硅鳍的顶部去除所述隔离结构；通过在所述第二硅鳍的顶表面上外延沉积硅层来延伸所述第二硅鳍；以及去除所述绝缘层的至少一部分。