[发明专利]用于制造不同高度的相邻硅鳍的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

在半导体衬底上制造第一和第二硅鳍，其中，每一硅鳍包括在其顶表 面上的隔离结构；

在所述半导体衬底上沉积绝缘层；

形成掩蔽所述第一硅鳍但不掩蔽所述第二硅鳍的掩蔽结构；

从所述第二硅鳍的顶部去除所述隔离结构；

通过在所述第二硅鳍的顶表面上外延沉积硅层来延伸所述第二硅鳍； 以及

去除所述绝缘层的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离结构包括选自由氮化 物和氮氧化物构成的组的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述隔离结构的厚度落入10nm 和100nm之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽结构包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述从所述第二硅鳍的顶部去 除所述隔离结构包括应用湿法蚀刻化学反应以去除所述隔离结构。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在去除所述绝缘层的至少一部 分之前去除所述掩蔽结构。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括平坦化经外延沉积的硅层以去 除多余的硅。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述掩蔽结构之前平坦 化所述绝缘层以暴露所述隔离结构的顶表面。

10.一种用于形成半导体装置的方法，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底具有沉积在其上的隔离层；

对所述隔离层进行构图以形成第一隔离结构和第二隔离结构；

对所述硅衬底进行构图以形成在所述第一隔离结构下方的第一硅鳍以 及在所述第二隔离结构下方的第二硅鳍；

在所述半导体衬底上沉积绝缘层；

平坦化所述绝缘层以暴露所述第一隔离结构的顶表面和所述第二隔离 结构的顶表面；

在所述绝缘层上沉积掩蔽层；

对所述掩蔽层进行构图以形成掩蔽结构，所述掩蔽结构掩蔽所述第一 隔离结构但不掩蔽所述第二隔离结构；

应用湿法蚀刻化学反应以去除所述第二隔离结构且暴露所述第二硅 鳍；

在所述第二硅鳍上外延沉积硅层；以及

使所述绝缘层凹陷以暴露所述第一硅鳍的至少一部分和所述第二硅鳍 的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第一硅鳍和所述第二硅鳍的上方沉积共形的电介质层；

在所述共形的电介质层上沉积电极层；以及

对所述电极层和所述电介质层进行构图以形成在所述第一硅鳍的顶部 上的第一栅极电介质层和第一栅极电极以及在所述第二硅鳍的顶部上的第 二栅极电介质层和第二栅极电极。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括平坦化经外延沉积的硅层以 去除多余的硅。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述隔离层包括氮化物层或 氮氧化物层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述掩蔽层包括氮化硅。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述共形的电介质层包括高 k电介质层。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述电极层包括多晶硅层或 金属层。

17.一种半导体装置，包括：

硅衬底；

形成在所述硅衬底上的第一硅鳍，其中，所述第一硅鳍具有第一高度； 形成在所述硅衬底上的第二硅鳍，其中，所述第二硅鳍具有大于所述第一 高度的第二高度；

形成在所述第一和第二硅鳍中的每一个上的栅极电介质层和栅极电 极；以及

形成在所述第一和第二硅鳍周围并具有齐平表面的绝缘层，其中所述 绝缘层的高度小于所述第一高度。