[发明专利]大气压等离子体增强化学气相沉积方法无效
| 申请号： | 200880100825.3 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101772588A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂娜·A·罗顿;约翰·M·瓦拉科姆斯基 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;B05D7/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过以下步骤在衬底的暴露表面上沉积膜涂层的方法：(a)提供具有至少一个暴露表面的衬底；和(b)使气体混合物流入到与所述衬底的至少一个暴露表面接触的大气压等离子体中，以在衬底上形成等离子体增强化学气相沉积涂层，该气体混合物包含氧化气体和选自以下各项的前体：乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、链烯基烷氧基硅烷、链烯基烷基硅烷和链烯基烷基烷氧基硅烷，气体混合物的氧含量大于10体积％。 | ||
| 搜索关键词： | 大气压 等离子体 增强 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底的暴露表面上沉积膜涂层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有至少一个暴露表面的衬底；和(b)使气体混合物流入到与所述衬底的至少一个暴露表面接触的大气压等离子体中，以在所述衬底上形成等离子体增强化学气相沉积涂层，所述气体混合物包含氧化气体和选自以下各项的前体：乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、链烯基烷氧基硅烷、链烯基烷基硅烷、链烯基烷基烷氧基硅烷，和它们的混合物，所述气体混合物的氧含量大于10体积％分子氧气体的当量。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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