[发明专利]大气压等离子体增强化学气相沉积方法

权利要求书

1.一种用于在衬底的暴露表面上沉积膜涂层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供具有至少一个暴露表面的衬底；和(b)使气体混合物流入到与所述衬底的至少一个暴露表面接触的大气压等离子体中，以在所述衬底上形成等离子体增强化学气相沉积涂层，所述气体混合物包含氧化气体和选自以下各项的前体：乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、链烯基烷氧基硅烷、链烯基烷基硅烷、链烯基烷基烷氧基硅烷，和它们的混合物，所述气体混合物的氧含量大于10体积％分子氧气体的当量。

2.权利要求1所述的方法，其中所述气体混合物包含选自以下各项中的前体：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、1，3-二乙烯基四乙氧基二硅氧烷、二乙烯基二甲基硅烷和三乙烯基甲氧基硅烷。

3.权利要求1所述的方法，其中所述前体基本上由以下各项组成：乙烯基烷氧基硅烷、乙烯基烷基硅烷、乙烯基烷基烷氧基硅烷、烯丙基烷氧基硅烷、烯丙基烷基硅烷、烯丙基烷基烷氧基硅烷、链烯基烷氧基硅烷、链烯基烷基硅烷、链烯基烷基烷氧基硅烷或它们的混合物。

4.权利要求1所述的方法，其中所述前体基本上由以下各项组成：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三丙氧基硅烷、乙烯基二甲氧基乙氧基硅烷、乙烯基二乙氧基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基二甲基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷、1，3-二乙烯基四乙氧基二硅氧烷、二乙烯基二甲基硅烷、三乙烯基甲氧基硅烷或它们的混合物。

5.权利要求1所述的方法，其中所述前体基本上由乙烯基三甲氧基硅烷组成。

6.权利要求1所述的方法，其中所述气体混合物包括乙烯基三甲氧基硅烷和四甲基二硅氧烷的混合物。

7.权利要求1-6中任一项所述的方法，所述方法还包括：通过选自注射模塑、真空模塑、压缩模塑和挤出中的衬底制备方法制备所述衬底的步骤。

8.权利要求7所述的方法，其中所述衬底制备方法是挤出。

9.权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述氧化气体选自以下各项：空气、氧气、臭氧、N₂O、NO、NO₂、N₂O₃、N₂O₄以及它们的混合物。

10.权利要求1-9中任一项所述的方法，其中等离子体增强化学气相沉积涂层的特征在于：当遵照ASTM D3489-85(90)，使用CS-10F轮子和500g负荷进行泰氏试验时，耐磨性表现出在500次循环后的浊度增加量小于约5％。

11.权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述等离子体增强化学气相沉积涂层以大于约2微米/分钟的速率沉积。

12.权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述等离子体增强化学气相沉积涂层的特征在于具有大于约1微米的厚度。