[发明专利]具有高可靠性的非易失存储器有效
| 申请号： | 200880021735.5 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101689397A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | A·P·科斯敏;S·S·乔治斯卡;G·斯马然多尤;A·M·塔切 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失存储器(NVM)系统包括一组NVM单元，每个NVM单元包括：NVM晶体管；将NVM晶体管耦接到相应位线的存取晶体管；和将NVM晶体管耦接到公共源的源极选择晶体管。以包括擦除阶段和编程阶段的两阶段操作来写NVM单元。在擦除和编程阶段期间，给位线施加一组公共位线电压。在擦除和编程阶段期间，存取晶体管导通并且源极选择晶体管截止。在擦除阶段期间，将第一控制电压施加到NVM晶体管的控制栅极，并且在编程阶段期间，将第二控制电压施加到NVM晶体管的控制栅极。在这些状态下，减少了Fowler-Nordheim隧穿操作的平均所需次数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可靠性 非易失 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器系统，包括：一组位线；一组非易失存储器单元，每个非易失存储器单元耦接到公共源，并且每个非易失存储器单元包括：具有控制栅极的非易失存储器晶体管；具有栅极的存取晶体管，其中所述存取晶体管耦接在所述非易失存储器晶体管和相应的一条位线之间；和具有栅极的源极选择晶体管，其中所述源极选择晶体管耦接在所述非易失存储器晶体管和所述公共源之间；耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个存取晶体管的栅极的字线；耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个非易失存储器晶体管的控制栅极的控制栅极线；和耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个源极选择晶体管的栅极的源极选择线。
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