[发明专利]具有高可靠性的非易失存储器

权利要求书

1.一种非易失存储器系统，包括：

一组位线；

一组非易失存储器单元，每个非易失存储器单元耦接到公共源， 并且每个非易失存储器单元包括：

具有控制栅极的非易失存储器晶体管；

具有栅极的存取晶体管，其中所述存取晶体管耦接在所述非 易失存储器晶体管和相应的一条位线之间；和

具有栅极的源极选择晶体管，其中所述源极选择晶体管耦接 在所述非易失存储器晶体管和所述公共源之间；

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个存取晶体管的栅极 的字线；

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个非易失存储器晶体 管的控制栅极的控制栅极线；和

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个源极选择晶体管的 栅极的源极选择线；以及

用于对所述一组非易失存储器单元执行两阶段写操作的装置，其 中所述两阶段写操作包括擦除阶段和编程阶段，其中用于执行所述两 阶段写操作的装置包括用于在擦除阶段和编程阶段两者期间将第一 位线电压施加到所述一组位线中的第一子集的装置，以及用于在擦除 阶段和编程阶段两者期间将不同于第一位线电压的第二位线电压施 加到所述一组位线中的第二子集的装置。

2.如权利要求1的非易失存储器系统，其中用于执行所述两阶段 写操作的装置还包括在擦除阶段期间将第一控制电压施加到所述控 制栅极线、并且在编程阶段期间将第二控制电压施加到所述控制栅极 线的装置，其中第一控制电压与第二控制电压不同。

3.如权利要求2的非易失存储器系统，其中用于执行所述两阶段 写操作的装置还包括在擦除阶段和编程阶段两者期间将公共字线电 压施加到所述字线的装置。

4.如权利要求3的非易失存储器系统，其中用于执行所述两阶段 写操作的装置还包括在擦除阶段和编程阶段两者期间将公共源选择 电压施加到所述源极选择线的装置。

5.如权利要求1的非易失存储器系统，其中存取晶体管、非易失 存储器晶体管和源极选择晶体管均是n沟道器件。

6.一种非易失存储器系统，包括：

一组位线；

一组非易失存储器单元，每个非易失存储器单元耦接到公共源， 并且每个非易失存储器单元包括：

具有控制栅极的非易失存储器晶体管；

具有栅极的存取晶体管，其中所述存取晶体管耦接在所述非 易失存储器晶体管和相应的一条位线之间；和

具有栅极的源极选择晶体管，其中所述源极选择晶体管耦接 在所述非易失存储器晶体管和所述公共源之间；

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个存取晶体管的栅极 的字线；

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个非易失存储器晶体 管的控制栅极的控制栅极线；和

耦接到所述一组非易失存储器单元内的每个源极选择晶体管的 栅极的源极选择线；以及

用于对所述一组非易失存储器单元执行两阶段写操作的装置，其 中所述两阶段写操作包括擦除阶段和编程阶段，其中用于执行所述两 阶段写操作的装置包括用于在擦除阶段期间在所述一组非易失存储 器单元的第一子集中引发Fowler-Nordheim隧穿的装置，和用于在相 应的编程阶段期间，在所述一组非易失存储器单元的第二子集中引发 Fowler-Nordheim隧穿的装置，其中所述第一子集和所述第二子集互 斥。

7.如权利要求6的非易失存储器系统，其中用于执行所述两阶段 写操作的装置在擦除阶段和相应的编程阶段两者期间禁止所述一组 非易失存储器单元的第三子集中的Fowler-Nordheim隧穿。

8.如权利要求7的非易失存储器系统，其中所述第一子集、第二 子集和第三子集互斥，并且包括所述一组非易失存储器单元中的所有 非易失存储器单元。