[发明专利]氧化物半导体和包含该氧化物半导体的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200880020930.6 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101681933A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金昌桢;李银河;朴永洙;朴宰彻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 包含 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种包括Zn和Hf的氧化物半导体。
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