[发明专利]半导体陶瓷材料有效
| 申请号： | 200880020249.1 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101687714A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 胜勇人 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项 丹;胡 烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不含Pb、居里点高、而且电阻率低的具有PTC特性的半导体陶瓷材料。该半导体陶瓷材料是以通式：ABO3表示的具有PTC特性的半导体陶瓷材料，A包括Ba、Ca、碱金属元素、Bi及稀土类元素，B包括Ti。相对于100摩尔份Ti，Ca的含量为5～20摩尔份，较好是12.5～17.5摩尔份。碱金属元素的含量/(Bi的含量+稀土类元素的含量)优选为1.0～1.06的范围。较好是还含有Mn，其含量相对于100摩尔份Ti为0.01～0.2摩尔份。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷材料 | ||
【主权项】：
1.一种半导体陶瓷材料，它是以通式ABO3表示、且具有PTC特性的半导体陶瓷材料，其中，A包括Ba、Ca、碱金属元素、Bi及稀土类元素，B包括Ti，并且相对于100摩尔份Ti，所述Ca的含量为5～20摩尔份。
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