[发明专利]改变半导体层结构的方法有效
| 申请号： | 200880013183.3 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101680107A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | P·布鲁恩斯;维塔利·利索特申克;德克·豪斯奇尔德 | 申请（专利权）人： | LIMO专利管理有限及两合公司 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/06;C30B13/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 赵 冰 |
| 地址： | 德国盖*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，在该方法中在将半导体层设置到基片(1)上之后，用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中线形的强度分布(3)在垂直于穿过半导体层的线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，并且其中强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)和至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中其强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.用于改变半导体层的结构的方法，尤其是用于非晶形硅层(2)的结晶或再结晶的方法，包括下列方法步骤：-将半导体层设置到基片(1)上，-用半导体激光器(14)的激光暂时照射半导体层，该激光在半导体层的范围内具有线形的强度分布(3)，其中，线型的强度分布(3)在垂直于线的延伸的方向(x)上在半导体层上移动，其中强度分布(3)在垂直于线的延伸方向(x)具有带有至少一个强度峰值(7)的强度分布图(5，11，12)，其特征在于，强度分布图(5，11，12)在垂直于线的延伸的方向(x)上还具有至少一个扩展范围(6，8)，该扩展范围比强度峰值(7)在垂直于线的延伸的方向(x)上更加扩展，其中该扩展范围的强度(I6，I8)小于强度峰值(7)的强度(I7)并大于零。
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