[发明专利]包括传送晶体管及垂直读取/写入启用晶体管的无电容器浮体易失性存储器单元及其制造及编程方法

摘要

本发明揭示一种无电容器浮体存储器单元、存储器装置、系统和形成所述无电容器存储器单元的工艺，所述工艺包含在体半导体衬底(10)的大致物理隔离部分的有源区域中形成存储器单元(82)。在所述有源区域上形成传送晶体管(70)以用于与字线(88)耦合。所述无电容器存储器单元进一步包含读取/写入启用晶体管(76)，其沿所述有源区域的至少一个垂直侧垂直配置，与所述传送晶体管共享浮动源极/漏极区(80)且可在读取逻辑状态期间操作，其中所述逻辑状态存储为所述有源区域的浮体区域中的电荷，从而产生用于所述传送晶体管的不同的可确定阈值电压。

主权项

1、一种无电容器存储器单元，其包括：有源区域，其由体半导体衬底的大致物理隔离部分形成；传送晶体管，其形成于所述有源区域上，所述传送晶体管包含源极区、用于与数字线耦合的漏极区和用于与字线耦合的栅极；及读取/写入启用晶体管，其包含栅极、源极区和与所述传送晶体管的所述源极区共同共享的漏极区，所述读取/写入启用晶体管沿所述有源区域的至少一个垂直侧垂直配置且可在读取逻辑状态期间操作，所述逻辑状态可存储为所述有源区域的浮体区域中的电荷以产生用于所述传送晶体管的不同的可确定阈值电压。