[发明专利]存储器系统无效

专利信息
申请号: 200880006501.3 申请日: 2008-09-22
公开(公告)号: CN101641680A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 矢野纯二;松崎秀则;初田幸辅 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/08 分类号: G06F12/08;G06F12/00;G06F3/06;G06F12/02;G06F3/08;G11C16/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;周良玉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种存储器系统,包括:WC 21,通过主机设备以扇区单位从该WC 21读出数据和将数据写入该WC 21中;FS 12,以页单位从该FS 12读出数据和将数据写入该FS 12中;MS 11,以轨道单位从该MS 11读出数据和将数据写入该MS 11中;FSIB 12a,其用作为用于FS 12的输入缓冲器;以及MSIB 11a,其用作为用于MS 11的输入缓冲器。在FSIB 12a中设置FSBB 12ac,该FSBB 12ac具有等于或大于WC 21的存储容量的存储容量,且存储在WC 21中写入的数据。数据管理单元120管理各个存储单元,当判断在这些存储单元当中执行的一种处理超过预定时间时,数据管理单元120挂起被判断为超过预定时间的那个处理,并且控制在WC 21中写入的数据,以将所述数据保存在FSBB 12ac中。
搜索关键词: 存储器 系统
【主权项】:
1.一种存储器系统,包括:作为高速缓冲存储器的第一存储区,其包括在易失性半导体存储器中;第二存储区和第三存储区,其包括在非易失性半导体存储器中,在所述第二存储区和所述第三存储区中,通过页单位执行数据读取和写入,且通过块单位执行数据擦除,所述块单位的大小为所述页单位的大小的两倍或更大的自然数倍;第一输入缓冲器,其包括在所述非易失性半导体存储器中,配置用于在所述第一存储区与所述第二存储区之间进行缓冲;第二输入缓冲器,其包括在所述非易失性半导体存储器中,配置用于在所述第一存储区与所述第三存储区之间进行缓冲;保存缓冲器,其存储容量等于或大于所述第一存储区的存储容量;以及控制器,其通过与一个或多个块相关联的逻辑块单位将所述非易失性半导体存储器的存储区分配给所述第二存储区和所述第三存储区以及所述第一输入缓冲器和所述第二输入缓冲器,其中所述控制器执行:第一处理,其用于以扇区单位将多个数据写入所述第一存储区中;第二处理,其用于以第一管理单位将存储在所述第一存储区中的数据清理至所述第一输入缓冲器,所述第一管理单位的大小为所述扇区单位的两倍或更大的自然数倍;第三处理,其用于以第二管理单位将存储在所述第一存储区中的数据清理至所述第二输入缓冲器,所述第二管理单位的大小为所述第一管理单位的两倍或更大的自然数倍;第四处理,其用于将所述第一输入缓冲器中所有页都被写入的逻辑块重新定位至所述第二存储区;第五处理,其用于将所述第二输入缓冲器中所有页都被写入的逻辑块重新定位至所述第三存储区;第六处理,其用于以所述第二管理单位将存储在所述第二存储区中的多个数据清理至所述第二输入缓冲器;以及第七处理,其用于将写入在所述第一存储区中的所有有效数据写入所述保存缓冲器中,并且当接收到要求所述第二处理和所述第三处理中的至少一个的写入请求时,以及当判断正执行的包括所述第四处理至所述第六处理的输入缓冲器清理处理超过预定时间时,挂起所述输入缓冲器清理处理,并且执行包括所述第七处理的旁路处理。
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