[发明专利]镀柱封装形成无效
| 申请号： | 200880005012.6 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101715606A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 约翰·特雷扎 | 申请（专利权）人： | 丘费尔资产股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括：从位于衬底上的籽晶层向上镀导电材料的柱，以充填材料包围所述柱，以致柱和充填材料共同限定第一封装，并且从第一封装去除衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 形成 | ||
【主权项】：
一种用于形成封装的工艺，其特征在于，包括：在带有籽晶层的衬底之上涂布光刻胶；在相互连接被定位的位置处，在所述光刻胶中限定开口，所述开口在所述位置处向下延伸到所述籽晶层并且使所述籽晶层露出；镀所述露出的籽晶层，直到已经堆积期望高度的镀金属；去除所述光刻胶，并在原位留下所述堆积的镀金属；涂布充填材料到通过所述光刻胶的去除而生成的体积中；和去除所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
