[发明专利]镀柱封装形成

权利要求书

1.一种用于形成封装的工艺，其特征在于，包括：在带有籽晶层的衬底之上涂布光刻胶；在相互连接被定位的位置处，在所述光刻胶中限定开口，所述开口在所述位置处向下延伸到所述籽晶层并且使所述籽晶层露出；镀所述露出的籽晶层，直到已经堆积期望高度的镀金属；去除所述光刻胶，并在原位留下所述堆积的镀金属；涂布充填材料到通过所述光刻胶的去除而生成的体积中；和去除所述衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在涂布所述光刻胶之前，进一步包括：在所述衬底上形成籽晶层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述籽晶层包括：在所述衬底的表面的基本部分上沉积所述籽晶层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述籽晶层包括：在所述衬底的表面的局部化部分上沉积所述籽晶层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，沉积所述籽晶层包括：限定连接点和痕迹。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括：镀所述籽晶层，直到所述籽晶层已经堆积到适合于用作电痕迹的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，限定所述开口包括：限定具有50μm或更少的宽度的开口。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，限定所述开口包括：限定具有20μm或更少的宽度的开口。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，限定所述开口包括：限定具有50μm或更少的间距的开口。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，限定所述开口包括：限定具有20μm或更少的间距的开口。

11.一种方法，其特征在于，包括：从位于衬底上的籽晶层向上镀导电材料的柱，至少第一个所述柱的宽度是50μm或更少，并且至少第二个所述柱相对于第三所述柱的间距是50μm或更少；以充填材料包围所述柱，使得所述柱和充填材料共同限定第一封装；和从所述第一封装去除所述衬底。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，包括：使用光刻胶中的开口限定所述柱。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述第一封装的表面之上涂布新的籽晶层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括：使用所述新的籽晶层在所述第一封装上形成第二封装。

15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：结合所述第一封装到第二封装。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，根据权利要求11所述的方法形成所述第二封装。

17.一种设备，其特征在于，包括：根据所述权利要求11的方法形成的第一封装；和根据所述权利要求11的方法形成的第二封装，所述第一封装邻接并电连接到所述第二封装。