[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880003380.7 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101595566A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | T·I·卡明斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;B82B3/00;B82B1/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件(10、10’、10”、10”’ 、100、100’、100”、1000)包括第一导电类型的主纳米线(18)，以及从主纳米线(18)向外延伸的第二导电类型的次纳米线(24)。第二导电类型的掺杂区(26)从次纳米线(24)延伸到主纳米线(18)的至少一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、1000)，包括：第一导电类型的主纳米线(18)；从所述主纳米线(18)向外延伸的第二导电类型的次纳米线(24)；从所述次纳米线(24)延伸到所述主纳米线(18)的至少一部分中的第二导电类型的掺杂区(26)。
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