[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、1000)， 包括：

第一导电类型的主纳米线(18)；

从所述主纳米线(18)向外延伸的第二导电类型的次纳米线(24)；

从所述次纳米线(24)延伸到所述主纳米线(18)的至少一部分中 的第二导电类型的掺杂区(26)。

2.如权利要求1所述的电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、 100”、1000)，其中第二导电类型的所述掺杂区(26)延伸通过所述主 纳米线(18)的电活性厚度的至少一部分。

3.如权利要求1和2中的任意一项所述的电子器件(10、10’、10”、 10”’、100、100’、100”、1000)，其中所述电子器件(10、10’、10”、 10”’、100、100’、100”、1000)为结型场效应晶体管(10、10’、10”、 10”’)。

4.如权利要求2所述的电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、 100”、1000)，其中所述掺杂区延伸通过所述主纳米线(18)的整个电 活性厚度，并且其中所述电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、 100”、1000)为双极结型晶体管(100、100’、100”)。

5.如权利要求4所述的电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、 100”、1000)，其中第二导电类型的所述掺杂区(26)将所述主纳米线 (18)分成发射极段(E)和集电极段(C)。

6.如权利要求1到5的任意一项所述的电子器件(10、10’、10”、 10”’、100、100’、100”、1000)，其中所述第一导电类型为p型导电 性或n型导电性中的一种，并且其中所述第二导电类型为n型导电性或 p型导电性中的另一种。

7.如权利要求1或6的任意一项所述的电子器件(10、10’、10”、 10”’、100、100’、100”、1000)，其中所述电子器件(10、10’、10”、 10”’、100、100’、100”、1000)为二极管(1000)，并且其中所述电 子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、1000)进一步包括：

操作地连接于所述主纳米线(18)的末端的电连接；以及

操作地连接于所述次纳米线(24)的末端的电连接。

8.一种制造电子器件(10、10’、10”、10”’、100、100’、100”、 1000)的方法，该方法包括：

生长具有第一导电类型的主纳米线(18)；

从所述主纳米线(18)的表面生长具有第二导电类型的次纳米线 (24)；以及

使第二导电类型的掺杂区(26)从所述次纳米线(24)扩散到所述 主纳米线(18)的至少一部分中。

9.如权利要求8所述的方法，其中通过以下步骤来实现生长所述 次纳米线(24)：

在所述主纳米线(18)周围形成牺牲层(22)，并将其形成到预定 高度，由此露出所述主纳米线(18)的一部分；

在邻近所述牺牲层(22)的所述主纳米线(18)的露出部分的区域 上形成催化剂纳米颗粒(20)；以及

使所述催化剂纳米颗粒(20)暴露于启动所述次纳米线(24)的生 长的前驱气体。

10.如权利要求9所述的方法，其中通过沉积预先形成的催化剂纳 米颗粒(20)或通过沉积形成所述催化剂纳米颗粒(20)的材料来实现 形成所述催化剂纳米颗粒(20)。

11.如权利要求8到10中的任意一项所述的方法，其中通过使所 述主纳米线(18)和所述次纳米线(24)在预定时间内暴露于预定温度 下来实现扩散。