[实用新型]一种半导体功率器件用衬底硅片无效
| 申请号： | 200820208572.9 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201332099Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 邵光平 | 申请（专利权）人： | 上海富华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 沈美英 |
| 地址： | 200122上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体器件用衬底硅片的制造工艺，特征在于在原始单晶片N-基片A的背面上刻蚀设置有深度为需要扩散的N+结深的二分之一、宽度及间距与需要扩散的N+结深相符的凹槽，由于凹槽的原因，在背面上实施扩散达到N+结深设计要求厚度N+层所需的时间比不带凹槽时的时间相比可减少二分之一，相应地在正面上形成的N+层厚度可以减薄二分之一，因而可以相应地缩短扩散生成N+层的时间，节约去除正面N+层的加工时间，减薄所用原始单晶片的厚度，生产周期短且用料少，有利于降低生产成本、材料成本和提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 衬底 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件用衬底硅片，主体由位于正面一侧的N-层(10)和位于背面一侧的N+层(7)构成，其特征在于所述的N+层(7)的外表面上设置有深度为需要扩散的N+结深设计要求的二分之一、宽度和间距与需要扩散的N+结深设计要求相符的凹槽(2)，所述的N+层(7)由紧靠N-层(10)、深度为二分之一N+结深的全扩散区(11)和深度为二分之一N+结深的间隔凹槽区(12)构成。
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