[实用新型]汽车电子用硅PNP型高频高速低压降高增益功率晶体管无效
| 申请号： | 200820185013.0 | 申请日： | 2008-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN201243018Y | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;钱晓平;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体晶体管技术领域，具体涉及到一种汽车电子用的硅PNP型高频高速低饱和压降高电流增益功率晶体管。本实用新型的目的是这样实现的：在低阻硅片衬底上设置集电区，在集电区内形成基区，在基区内形成发射区，在发射区旁边的基区内形成增阻环，所述集电区、基区、发射区及增阻环位于同一个剖面层内，在所述集电区、基区、发射区及增阻环的上表面设置二氧化硅膜，在对应于发射区及基区的部位的二氧化硅膜上设置引线孔，在对应于发射区的引线孔部位设置发射极铝层，在对应于基区的引线孔部位设置基极铝层，所述发射极铝层与发射区电连接，所述基极铝层与基区电连接。这种晶体管的特征频率高、开关速度快、饱和压降低、电流增益高。 | ||
| 搜索关键词： | 汽车 电子 pnp 高频 高速 低压 增益 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1、汽车电子用硅PNP型高频高速低饱和压降高电流增益功率晶体管，其特征是：在低阻硅片衬底(10)上设置集电区(4)，在集电区(4)内形成基区(3)，在基区(3)内形成发射区(2)，在发射区(2)旁边的基区(3)内形成增阻环(5)，所述集电区(4)、基区(3)、发射区(2)及增阻环(5)位于同一个剖面层内，在所述集电区(4)、基区(3)、发射区(2)及增阻环(5)的上表面设置二氧化硅膜(6)，在对应于发射区(2)及基区(3)的部位的二氧化硅膜(6)上设置引线孔，在对应于发射区(2)的引线孔部位设置发射极铝层(8)，在对应于基区(3)的引线孔部位设置基极铝层(7)，所述发射极铝层(8)与发射区(2)电连接，所述基极铝层(7)与基区(3)电连接。
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