[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200810302796.0 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101630710A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张家寿 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底面向上减少，该封装体自底面向上分为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少。与现有技术相比，本发明的封装体的折射率渐变，折射率差较少，降低封装体的全反射，使得从封装体射出的光线均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底面向上减少，该封装体自底面向上分为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少。
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