[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底面向上减少，该封装体自底面向上分为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每一封装层包括一侧面，相邻封装层的侧面上下相连，所有封装层的侧面共同构成封装体的侧面。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，每一封装层的侧面与该封装体的底面构成一倾斜角，该倾斜角为锐角，该若干封装层的倾斜角自该封装体的底面向上减少。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该封装体呈圆台或棱台状。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该封装体呈倒碗状，相邻封装层的侧面平滑过渡相连，封装体的侧面整体呈外凸的曲面状。

6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，该封装体还包括一顶面，该顶面设置若干凹陷或凸起，使得该顶面凹凸不平。

7.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体自靠近发光二极管晶粒向远离发光二极管晶粒的方向渐缩延伸且划分成多个封装层，该多个封装层的折射率自靠近发光二极管晶粒向远离发光二极管晶粒的方向减少，每一封装层包括一侧面，每一封装层的侧面与外界直接接触。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述封装层的数量为三个，自靠近发光二极管晶粒向远离发光二极管晶粒的方向依次为第一封装层、第二封装层及第三封装层，第一封装层的折射率大于第二封装层的折射率，第二封装层的折射率大于第三封装层的折射率。

9.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第三封装层的顶面形成有密集排布的凹陷或凸起。