[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种发光二极管的封装改良结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有环保、亮度高、省电、寿命长等诸多特点，将渐渐成为主要照明光源。然，LED发出的光线于发光二极管的封装体与外界空气的界面容易发生全反射，使得发光二极管出光不均匀。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种出光均匀的发光二极管。

一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底面向上减少，该封装体自底面向上分为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少。

一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体，该封装体自靠近发光二极管晶粒向远离发光二极管晶粒的方向渐缩延伸且划分成多个封装层，该多个封装层的折射率自靠近发光二极管晶粒向远离发光二极管晶粒的方向减少，每一封装层包括一侧面，每一封装层的侧面与外界直接接触。

与现有技术相比，本发明的封装体的折射率自下而上渐变，折射率差较少，降低封装体的全反射，并增加光线从封装体的侧面出光比例，使得从封装体射出的光线均匀分布。

附图说明

图1为本发明的发光二极管的一较佳实施例的立体示意图。

图2为图1中沿II-II的剖面示意图。

图3为本发明的发光二极管的又一较佳实施例的剖面示意图。

图4为本发明的发光二极管的另一较佳实施例的剖面示意图。

图5为本发明的发光二极管的再一较佳实施例的剖面示意图。

具体实施方式

如图1及图2所示，发光二极管包括一基板1、一发光二极管晶粒2及一封装体3。基板1呈圆形板状，包括上表面11及下表面12，上表面11与下表面12相对设置，基板1的开设有第一导电柱131及第二导电柱132，第一导电柱131及第二导电柱132分别贯通基板1的上表面11及下表面12。基板1的上表面11设有第一内电极111及第二内电极112，基板1的下表面12设有第一外电极121及第二外电极122，第一内电极111及第一外电极121分别位于第一导电柱131的上下两端周围，第一导电柱131将第一外电极121与第一内电极111电连接，第二内电极112及第二外电极122分别位于第二导电柱132的上下两端周围，第二导电柱132将第二外电极122与第二内电极112电连接。

发光二极管晶粒2固设于基板1的上表面11且位于基板1的中心，发光二极管晶粒2包括第一电极21及第二电极22，第一电极21与基板1的第一内电极111电连接，第二电极22与基板1的第二内电极112电连接。

封装体3由透光材料制成，如环氧树脂、硅胶、压克力等。该封装体3包覆于发光二极管晶粒2的外围。该封装体3整体呈正圆台状，包括一底面31、一顶面32及一侧面33，顶面32与底面31相对设置，侧面33连接于顶面32与底面31之间，封装体3的横截面面积自底面31向上减少，侧面33由底面31的外缘向上且向内倾斜渐缩延伸而成，即该封装体3自靠近发光二极管晶粒2向远离发光二极管晶粒2的方向渐缩延伸。封装体3的底面31平贴于基板1的上表面11，封装体3的顶面32设置若干微结构，使得顶面32凹凸不平，进而使得顶面32出光均匀。该微结构为密集排布的凸起321，凸起321由封装体3的顶面32向外突出而成。该封装体3自底面31向上即自靠近发光二极管晶粒2向远离发光二极管晶粒2的方向依次分为第一封装层34、第二封装层35及第三封装层36，第一封装层34平贴于基板1的上表面11上，第二封装层35平贴于第一封装层34上，第三封装层36平贴于第二封装层35上，相邻封装层的侧面上下相连，所有封装层34、35、36的侧面共同构成封装体3的侧面33，封装层34、35、36的侧面与外界直接接触，第一封装层34的折射率大于第二封装层35的折射率，第二封装层35的折射率大于第三封装层36的折射率，即各封装层34、35、36的折射率自底面31向上即自靠近发光二极管晶粒2向远离发光二极管晶粒2的方向依次减少。可通过向每一封装层34、35、36参杂不同浓度的高折射率纳米粒子以改变各封装层34、35、36的折射率，纳米粒子可为氧化钛、氧化钽及氧化硅等。亦可通过向封装层34、35、36参杂不同浓度的分子团以改变各封装层34、35、36的折射率，分子团可为酚类等。