[发明专利]一种用于硅晶片抛光的抛光组合物无效
| 申请号： | 200810247567.3 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101451046A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;顾忠华;高峰;雒建斌;路新春;刘岩 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 琨 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种硅晶片抛光组合物。抛光组合物含有二氧化硅、抛光界面控制剂、表面活性剂、螯合剂、碱性化合物和水。其中抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1～200nm，二氧化硅含量为0.05～50wt％；抛光界面控制剂为多羟基纤维素醚，含量为0.001％～10wt％；表面活性剂含量为0.001～1wt％；螯合剂含量为0.001～1wt％；碱性化合物含量为0.001～10wt％；其余为水，pH值为8.5～12。抛光界面控制剂可对化学机械抛光过程中的磨粒与抛光对象之间的抛光界面进行控制，使抛光后的硅晶片表面更完美。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片的抛光，其优势在于抛光速率快，表面缺陷少，平整度高，抛光后的硅片金属离子污染物少且易于清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅晶片抛光的抛光组合物，其组分及配比为： 二氧化硅颗粒0.05～50wt％ 碱性化合物0.001～10wt％ 鳌合剂0.001～1wt％ 表面活性剂0.001％～1wt％ 抛光界面控制剂0.001％～10wt％ 水余量
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