[发明专利]一种制备半导体材料纳米结构氮化铝的方法无效
| 申请号： | 200810243337.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101456543A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李春磊;杨绍光 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙） | 代理人： | 陈 扬 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种快速制备半导体材料纳米带的方法，首先将Al粉末研磨至50nm~1000nm，将研磨好的粉末放置在反应管内，然后将干燥过的氮气吹入反应管中，再对反应管进行加热，在700~1200℃下Al就会和氮气反应，在原位收集生成物就得到大量氮化铝纳米带。本发明首次用氮气取代氨气做源生成氮化铝的纳米结构，而且反应时间短，温度低，成本少，对环境没有污染。该纳米结构因为其特殊的形貌而具有更广泛的用途。通过和商用氮化铝的比较发现本发明所制作的纳米材料有很强的紫外阴极射线发光。本发明是一种具有极大经济价值和使用价值的纳米材料的制备方法，市场前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体材料 纳米 结构 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征在于它包括以下步骤：A)将铝粉研磨至颗粒直径在50纳米和1微米之间；B)将研磨好的粉末放置在反应管内，通入干燥的氮气；C)对反应管进行加热，使氮气和铝粉产生的蒸汽进行反应；D)反应后，则在放原材料的地方生成大量的氮化铝纳米带。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810243337.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
