[发明专利]一种制备半导体材料纳米结构氮化铝的方法无效
| 申请号： | 200810243337.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101456543A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李春磊;杨绍光 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙） | 代理人： | 陈 扬 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体材料 纳米 结构 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征在于它包括以下步骤：
A)将铝粉研磨至颗粒直径在50纳米和1微米之间；
B)将研磨好的粉末放置在反应管内，通入干燥的氮气；通入的氮气流量在20sccm到300sccm之间
C)对反应管进行加热，使氮气和铝粉产生的蒸汽进行反应；
D)反应后，则在放原材料的地方生成大量的氮化铝纳米带。
2.根据权利要求1所述的制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征是：步骤B)中的反应管是耐高温的石英管或刚玉管。
3.根据权利要求1所述的制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征是：步骤B)中干燥氮气所用的气体干燥剂是浓硫酸或氧化钙或硫酸钙。
4.根据权利要求1所述的制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征是：步骤C)中，用加热装置对反应管进行加热，加热温度为700～1200℃，加热时间为30分钟到5个小时。
5.根据权利要求1所述的制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征是：步骤D)中得到的氮化铝纳米带顶端宽度为10nm，下端宽度为100～200nm，长度为5～7微米。
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