[发明专利]一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810240149.1 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101441941A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陶霞;郑言贞;许辉;王立新;陈建峰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/04;H01G9/022 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法属于无机非金属材料技术和能源材料制备技术领域。采用一步法制备半导体氧化物微纳复合结构薄膜可控性和重复性差。本发明采用滴敷法或涂敷法依次在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为100-1∶1。本发明方法工艺简单，可控性和重复性强，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 氧化物 复合 结构 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)半导体氧化物纳米晶薄膜的制备：将粒径为1-100nm的半导体氧化物纳米晶加入溶剂中，超声分散均匀，得到浓度为0.001-1g/mL的半导体氧化物纳米晶溶液后，将所得溶液采用滴敷法或涂敷法在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜，而后将覆盖有半导体氧化物纳米晶薄膜的导电玻璃在马福炉中于250-600℃下，焙烧0.2-5.0h，冷却至室温得到半导体氧化物纳米晶薄膜；2)微纳复合结构薄膜的制备：将尺寸为100-2000nm的微米/亚微米半导体氧化物颗粒加入溶剂中，超声分散均匀，得到浓度为0.001-1g/mL的微米/亚微米半导体氧化物溶液，将所得溶液采用滴敷法或涂敷法，在步骤1)中制备的半导体氧化物纳米晶薄膜表面制备微米/亚微米半导体氧化物薄膜，而后将其在马福炉中，于250-600℃，焙烧0.2-5.0h，冷却至室温，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为100-1：1。
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