[发明专利]一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)半导体氧化物纳米晶薄膜的制备：

将粒径为1-100nm的半导体氧化物纳米晶加入溶剂中，超声分散均匀，得到浓度为0.001-1g/mL的半导体氧化物纳米晶溶液后，将所得溶液采用滴敷法或涂敷法在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜，而后将覆盖有半导体氧化物纳米晶薄膜的导电玻璃在马福炉中于250-600℃下，焙烧0.2-5.0h，冷却至室温得到半导体氧化物纳米晶薄膜；

2)微纳复合结构薄膜的制备：

将尺寸为100-2000nm的微米/亚微米半导体氧化物颗粒加入溶剂中，超声分散均匀，得到浓度为0.001-1g/mL的微米/亚微米半导体氧化物溶液，将所得溶液采用滴敷法或涂敷法，在步骤1)中制备的半导体氧化物纳米晶薄膜表面制备微米/亚微米半导体氧化物薄膜，而后将其在马福炉中，于250-600℃，焙烧0.2-5.0h，冷却至室温，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为100-1∶1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述的半导体氧化物纳米晶为氧化锌、二氧化钛或二氧化锡。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述的导电玻璃为FTO导电玻璃、ITO导电玻璃或柔性导电基底。 

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)和2)中所述的溶剂为无水乙醇、蒸馏水或无水乙醇与蒸馏水的混合液。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述的微米/亚微米半导体氧化物为氧化锌、二氧化钛或二氧化锡。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述的微米/亚微米半导体氧化物颗粒的形状为球形、片状、棒状、线状或管状。