[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810215916.3 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101393934A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;四户孝;太田千春;西尾让司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制造方法，目的是在SiCMOSFET中减小沟道长度的不一致。本发明的半导体器件具备：设置在碳化硅基板上的第1导电类型的第1碳化硅层(2)；形成于第1碳化硅层(2)上的第2导电类型的第2碳化硅层(3)；在第2碳化硅层(3)的表面以预定的间隔相向地设置，具有同一浓度、同一深度的第1导电类型的第1和第2碳化硅区域(4、5)；贯通第1碳化硅区域(1)和第2碳化硅层(3)，到达第1碳化硅层的第3碳化硅区域(9)；在第1和第2碳化硅区域(4、5)上以及被第1和第2碳化硅区域夹着的第2碳化硅层(3)上连续地形成的栅绝缘膜(101)；以及形成于栅绝缘膜(101)上的栅电极(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，具备：具有第1和第2主面的碳化硅基板；设置于上述碳化硅基板的上述第1主面的第1导电类型的第1碳化硅层；形成于上述第1碳化硅层上的第2导电类型的第2碳化硅层；在上述第2碳化硅层的内部表面以预定的间隔相向地设置，具有同一浓度、同一深度的第1导电类型的第1和第2碳化硅区域；贯通上述第1碳化硅区域和上述第2碳化硅层，到达上述第1碳化硅层的第3碳化硅区域；在上述第1和第2碳化硅区域上以及被上述第1和第2碳化硅区域夹着的上述第2碳化硅层上，连续地形成的栅绝缘膜；形成于上述栅绝缘膜上的栅电极；形成于上述第2碳化硅区域的表面的第1导电类型的第1接触区域；形成于上述第2碳化硅区域的表面，被形成为贯通上述第2碳化硅区域而到达上述第2碳化硅层的第2导电类型的第2接触区域；形成于上述第1和第2接触区域上的第1主电极；以及形成于上述碳化硅基板的上述第2主面的第2主电极。
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