[发明专利]用于单衬底或双衬底加工的设备和方法无效
| 申请号： | 200810213204.8 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101572220A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | E·汉森;V·米姆肯;M·布勒克;R·M·亚拉曼基利;J·罗萨托 | 申请（专利权）人： | SCP环球技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹 若 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于单衬底或双衬底加工的设备和方法。在一种用于对半导体衬底进行处理的方法中，一个或两个衬底被放置在衬底加工室中，并进行湿法蚀刻、清洗、冲洗和/或干燥步骤。在清洗或冲洗过程中，在所述加工室内产生一个兆赫级超声波能量带以产生主动冲洗或清洗区，且在所述室内进行的冲洗或清洗过程中，所述衬底平动通过所述主动区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 加工 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于处理至少一个衬底的设备，其特征在于，包括：一个室，具有一个在所述室的上部中的开口，其中所述开口的大小为容纳所述至少一个衬底，和一个用于比例地容纳所述至少一个衬底的处理区域，其中所述处理区域具有下内部和上内部；引起紊流流动的装置，所述引起紊流流动的装置连接于所述室的下内部区域和上内部区域中的一个或两者；入口和连接到所述室并与所述室的下部流体相通的出口；和一个上溢流堰和定位在所述上溢流堰之下的一个高度的下溢流堰。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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