[发明专利]用于单衬底或双衬底加工的设备和方法无效
| 申请号: | 200810213204.8 | 申请日: | 2002-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN101572220A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
| 发明(设计)人: | E·汉森;V·米姆肯;M·布勒克;R·M·亚拉曼基利;J·罗萨托 | 申请(专利权)人: | SCP环球技术公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹 若 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 衬底 加工 设备 方法 | ||
1、一种用于处理至少一个衬底的设备,其特征在于,包括:
一个室,具有一个在所述室的上部中的开口,其中所述开口的大小为容纳所述至少一个衬底,和一个用于比例地容纳所述至少一个衬底的处理区域,其中所述处理区域具有下内部和上内部;
引起紊流流动的装置,所述引起紊流流动的装置连接于所述室的下内部区域和上内部区域中的一个或两者;
入口和连接到所述室并与所述室的下部流体相通的出口;和
一个上溢流堰和定位在所述上溢流堰之下的一个高度的下溢流堰。
2、根据权利要求1所述的设备,其中还包括末端操纵装置。
3、根据权利要求1所述的设备,其中所述引起紊流流动的装置包括兆赫级超声波换能器。
4、根据权利要求3所述的设备,其中所述兆赫级超声波换能器定位成沿正交于所述衬底表面的方向传播能量。
5、根据权利要求3所述的设备,其中所述兆赫级超声波换能器定位成沿以小于正交于所述衬底表面的方向传播能量。
6、根据权利要求1所述的设备,其中还包括液体地连接到所述室的热气体源,以从所述衬底的一个表面挥发掉液体。
7、根据权利要求6所述的设备,其中还包括在所述室中将受热气体引入所述室内的一个或多个入口,和一个末端操纵装置,所述末端操纵装置具有可移动所述衬底平动通过所述入口以加速蒸发的衬底接收容纳部。
8、根据权利要求1所述的设备,其中还包括蒸气排出系统,用于从系统中排出干燥的蒸气。
9、根据权利要求1所述的设备,其中所述室的比例为在一个时间中处理仅仅一个衬底。
10、根据权利要求1所述的设备,其中处理流体源是流体连接到所述室的下部,和所述处理流体源可移动远离所述下部。
11、根据权利要求1所述的设备,其中所述上、下溢流堰具有连接到其上的三个端口。
12、一种用于处理至少一个衬底的设备,其特征在于,包括:
一个室,具有一个在所述室的上部中的开口,其中所述开口的大小为容纳所述至少一个衬底,和一个用于比例地容纳所述至少一个衬底的处理区域,其中所述处理区域具有下内部和上内部;
引起紊流流动的装置,所述引起紊流流动的装置连接于所述室的下内部区域和上内部区域中的一个或两者;
一个入口和一个连接到所述室并与所述室的下部流体相通的出口;和
一个或多个溢流堰;和
连接到所述一个或多个溢流堰的三个端口。
13、根据权利要求12所述的设备,其中还包括末端操纵装置。
14、根据权利要求12所述的设备,其中所述引起紊流流动的装置包括兆赫级超声波换能器。
15、根据权利要求14所述的设备,其中所述兆赫级超声波换能器定位成沿正交于所述衬底表面的方向传播能量。
16、根据权利要求12所述的设备,其中所述室的比例为在一个时间中处理仅仅一个衬底。
17、根据权利要求12所述的设备,其中处理流体源是流体连接到所述室的下部,和所述处理流体源可移动远离所述下部。
18、根据权利要求12所述的设备,其中还包括液体地连接到所述室的热气体源,以从所述衬底的一个表面挥发掉液体。
19、根据权利要求18所述的设备,其中还包括在所述室中将受热气体引入所述室内的一个或多个入口,和一个末端操纵装置,所述末端操纵装置具有可移动所述衬底平动通过所述入口以加速蒸发的衬底接收容纳部。
20、根据权利要求18所述的设备,其中还包括蒸气排出系统,用于从系统中排出干燥的蒸气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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