[发明专利]一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法无效
| 申请号： | 200810202861.2 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101428752A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈静;王曦;孙佳胤;武爱民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于，采用悬臂梁作为生长III族氮化物的衬底，由于悬臂梁仅一端固定，可以降低III族氮化物层中的应力，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于采用悬臂梁作为III族氮化物层生长的衬底，包括以下步骤：1)选择一悬臂梁，所述的悬臂梁具有一固定端和一自由端；2)在步骤1选择的悬臂梁的上表面生长缓冲层；3)在步骤2的缓冲层的表面生长III族氮化物外延层；所述的悬臂梁的材料为硅、蓝宝石、碳化硅或GaAs；所述的缓冲层的材料为AlN、AlGaN或电AlN和AlGaN组成的多层复合结构的材料；所述的III族氮化物外延层为GaN、InN、AlGaN或AlN。
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