[发明专利]铜支柱制作工艺有效
| 申请号： | 200810202279.6 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101740420A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李德君;孟津 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体晶圆片的电镀铜支柱制备工艺，首先在晶圆片表面均匀的溅射一层金属种子层，然后进行光刻制程在晶圆片表面的特定位置形成开口，往这些开口内电镀铜支柱。本发明通过降低电镀过程中，晶圆片的自转速度，并增大电镀液的浓度，提高了铜支柱顶部的平整性，改善其均匀度性能。因此，使用本发明方法所形成的铜支柱与封装衬底具有接触特性好，成品度及可靠性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 支柱 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种铜支柱制作工艺，包括以下步骤：(1)提供表面形成有连续的铜种子层的晶圆；(2)在晶圆上形成具有若干开口的保护光阻，所述开口暴露出铜种子层；(3)采用电镀工艺在开口内沉积铜焊料，所述电镀工艺的渡液包含浓度为180g/L～220g/L的硫酸铜Cu2SO4·H2O溶液，电镀过程中晶圆在镀液中作自转动，转速为5rpm～15rpm；(4)去除保护光阻，回流铜焊料形成铜支柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
