[发明专利]铜支柱制作工艺有效
| 申请号： | 200810202279.6 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101740420A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李德君;孟津 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支柱 制作 工艺 | ||
1.一种铜支柱制作工艺，包括以下步骤：
(1)提供表面形成有连续的铜种子层的晶圆；
(2)在晶圆上形成具有若干开口的保护光阻，所述开口暴露出铜种子层；
(3)采用电镀工艺在开口内沉积铜焊料，所述电镀工艺的镀液包含浓度为180g/L～220g/L的硫酸铜Cu2SO4·H2O溶液，电镀过程中晶圆在镀液中作自转动，转速为5rpm～15rpm；
(4)去除保护光阻，回流铜焊料形成铜支柱。
2.如权利要求1所述的铜支柱制作工艺，其特征在于所述铜种子层为TiCu或者CrCu。
3.如权利要求1所述的铜支柱制作工艺，其特征在于所述晶圆为八寸或十二寸晶圆片。
4.一种铜支柱制作工艺，包括以下步骤：
(1)提供表面形成有连续的铜种子层的晶圆；
(2)在晶圆上形成具有若干开口的保护光阻，所述开口暴露出铜种子层；
(3)采用电镀工艺在开口内沉积铜焊料，所述电镀工艺的渡液包含浓度为180g/L～220g/L的硫酸铜Cu2SO4·H2O溶液，电镀过程中晶圆在镀液中作自转动，转速为5rpm～15rpm；
(4)在铜焊料上电镀锡或者银焊料；
(5)去除保护光阻，回流铜焊料和锡或者银焊料形成铜支柱。
5.如权利要求4所述的铜支柱制作工艺，其特征在于所述铜种子层为TiCu或者CrCu。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
