[发明专利]一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法。一种低压可擦写的纳米晶存储电容，以P型单晶硅片为衬底层，其上依序有：1)用原子层淀积的方法生长的Al₂O₃/HfO₂/Al₂O₃纳米叠层薄膜作为电荷隧穿层；2)1-6纳米厚的钴纳米晶层；3)原子层淀积20-50纳米厚的HfO₂薄膜作为阻挡层；4)上电极层；其中，Al₂O₃单层的厚度为1-4纳米，HfO₂的单层厚度也为1-4纳米。由于本发明采用Al₂O₃/HfO₂/Al₂O₃叠层结构作为隧穿层，不仅提高了编程和擦除速度，还降低了操作电压，同时具有优良的电荷保持特性。采用钴纳米晶作为电荷存储中心，有利于提高电荷的存储能力并降低制造成本，提高良品率。

主权项

1、一种低压可擦写的纳米晶存储电容，以P型单晶硅片为衬底层，其上依序有：1)用原子层淀积的方法生长的Al2O3/HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜作为电荷隧穿层；2)1—6纳米厚的钴纳米晶层；3)原子层淀积20—50纳米厚的HfO2薄膜作为阻挡层；4)上电极层；其中，Al2O3单层的厚度为1—4纳米，HfO2的单层厚度也为1—4纳米。