[发明专利]牺牲氧化层的去除方法及相应的半导体存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200810200273.5 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101685797A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 徐丹;蔡信裕;孙智江;陈文丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种牺牲氧化层的去除方法及相应的半导体存储器的制造方法，其先去除存储单元区的牺牲氧化层，完成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构的制作后，再去除周边电路区的牺牲氧化层，从而在预清洗过程中，利用相对较厚的底氧化层来减少周边电路区衬底表面的污染及损伤程度，提高后续工艺中栅极氧化层的淀积效率和稳定性。该牺牲氧化层的去除方法包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底，其上覆盖有牺牲氧化层；去除存储单元区上的牺牲氧化层；于半导体衬底上依次制作第一氧化层、氮化层和第二氧化层，其中周边电路区上的第一氧化层与牺牲氧化层共同构成其上的底氧化层；去除周边电路区上的第二氧化层、氮化层和底氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 氧化 去除 方法 相应 半导体 存储器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种牺牲氧化层的去除方法，其特征是，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底，其上覆盖有牺牲氧化层；去除所述存储单元区上的牺牲氧化层；于所述半导体衬底上依次制作第一氧化层、氮化层和第二氧化层，其中周边电路区上的第一氧化层与牺牲氧化层共同构成其上的底氧化层；去除所述周边电路区上的第二氧化层和氮化层；去除所述周边电路区上的底氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
