[发明专利]低介电常数的等离子聚合薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200810182570.1 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101450995A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郑东根;李晟宇;禹知亨 | 申请（专利权）人： | 成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C08G77/50 | 分类号： | C08G77/50;C23C16/44;C23C16/56;H01L21/312;H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数等离子聚合薄膜，其使用直链有机/无机前驱体的低介电常数等离子聚合薄膜和通过等离子增强化学气相沉积和使用RTA装置退火来制造。该低介电常数等离子聚合薄膜由于具有非常高的热稳定性、低的介电常数和优良的机械性能，可有效用于具有该薄膜结构的多层金属薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 等离子 聚合 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低介电常数等离子聚合薄膜，其由以下的式1和式2代表的前驱体进行制造：式1![]()
其中R1-R6都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团组成的组中，且X是氧原子或C1～5亚烷基基团；和式2![]()
其中，R1-R5都各独立地选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团组成的组中，且R6选自由氢原子和取代或未取代的C1～5烷基基团以及烷氧硅烷基团组成的组中。
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