[发明专利]低介电常数的等离子聚合薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种使用等离子增强化学气相沉积法制造低介电常数等离子聚 合薄膜的方法，包括：

在衬底上沉积等离子聚合薄膜，所述在衬底上沉积等离子聚合薄膜 包括：

在起泡器中蒸发由(a)六甲基二硅氧烷，以及(b)3，3-二甲 基-1-丁烯或烯丙氧基三甲硅烷组成的前驱体，

使用载气从起泡器中将气态前驱体供给到等离子沉积反应器 中，其中，所述载气是氩气(Ar)或氦气(He)，并且载气压力是 1×10^-1～100×10^-1托，以及

在反应器中使用反应器的等离子体于20～50℃的衬底上形成等 离子聚合薄膜，其中，作为等离子气体，使用选自由氩气(Ar)、氦 气(He)、以及氢气和氦气的混合气体组成的组中的载气；载气的压 力是1×10^-31×10^-1托，氢气和氦气的混合气体由5-15vol％的氢气 和95-85vol％的氦气组成，以及供给到反应器的功率为15～80W； 以及

使用快速热退火装置在氮气中退火沉积的薄膜，其中所述退火步骤 是通过将衬底的温度提高到300～600℃，然后实施退火1-5分钟来进行。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用快速热退火装置 对沉积薄膜进行退火是通过将其上沉积有等离子聚合薄膜的衬底放在 快速热退火装置的腔室内，并使用围绕腔室设置的多个卤素灯使衬底上 产生热量来实施。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用快速热退火装置 对沉积薄膜进行退火是通过将衬底的温度在5分钟内增加到 300～600℃，然后进行退火来实施。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用快速热退火装置 对沉积薄膜退火是在0.5～1.5托的压力下进行。