[发明专利]锗晶体生长的方法和装置有效
| 申请号： | 200810177006.0 | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101736401A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;唐铁军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 锗晶体生长的方法和装置。所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；冷却单晶锗晶棒。本发明还提供可用于实施该方法的装置，其中包括一个装载容器。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法，所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚带有放置有晶种的晶种槽；将第二Ge原料装入一个将置于安瓿内的用以补充Ge原料的装载容器中；将所述坩埚和装载容器密封在一个安瓿内；将密封有所述坩埚和装载容器的安瓿放入一个具有可移动的安瓿支座的晶体生长熔炉中，所述支座支承安瓿；熔化坩埚中的第一Ge原料从而生成一种熔融体；熔化容器中的第二Ge原料，并将第二Ge原料添至熔融体中；控制熔融体的结晶温度梯度，使熔融体与晶种接触的时候结晶形成单晶锗晶棒；和冷却单晶锗晶棒。
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