[发明专利]半导体存储器装置中的冗余电路无效
| 申请号： | 200810171883.7 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101510447A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 姜相熙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/24 | 分类号： | G11C29/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种冗余电路，在该冗余电路中，多个冗余替换单位设置于一个熔丝组中以提高熔丝组的使用效率。半导体存储器装置中的该冗余电路包含：熔丝组控制器，其用于输出根据所施加的地址信号而使能的冗余使能信号；冗余选择器；备用冗余选择器；及备用熔丝控制器，其受控于所述冗余使能信号，用于根据内部熔丝选项来输出选择冗余选择器和备用冗余选择器中的至少一个的选择控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 中的 冗余 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储器装置中的冗余电路，包括：熔丝组控制器，其用于输出根据施加的地址信号而使能的冗余使能信号；备用熔丝单位，其用于输出对应于内部备用熔丝选项的预定逻辑电平的多个熔离信号；冗余选择器，其受控于从外部施加的选择控制信号，用于将所述冗余使能信号输出为正常选择控制信号；及复用器，其用于根据所述多个熔离信号来使能冗余选择信号或备用冗余选择信号。
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