[发明专利]制造超低缺陷半导体单晶锭的方法及设备无效
| 申请号： | 200810168223.3 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101403137A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 洪宁皓;赵铉鼎;李晟永;申丞镐;李洪雨 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造超低缺陷半导体单晶锭的方法，该方法使用利用将籽晶浸没在容纳在石英坩埚中的半导体熔体中、并在旋转籽晶的同时将其缓慢地提拉而通过固-液界面生长半导体单晶锭的Czochralski工艺，其中，通过根据单晶锭的长度随着单晶锭生长过程进展的变化来增加或减少半导体熔体的表面上的热区来控制无缺陷容许范围。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 缺陷 半导体 单晶锭 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造超低缺陷半导体单晶锭的方法，所述方法使用利用将籽晶浸没到容纳在石英坩埚中的半导体熔体中、并在旋转所述籽晶的同时缓慢地提拉所述籽晶而通过固-液界面生长半导体单晶锭的Czochralski工艺，其中，通过根据所述单晶锭的长度随着所述单晶锭生长过程进展的改变来增加或减少所述半导体熔体表面上的热区来控制无缺陷容许范围。
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