[发明专利]成膜装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，在上述反应室内没有收纳上述被处理基板的状态下，依次进行：一边向上述反应室内供给对上述副生成物膜进行蚀刻的清洁反应性气体并进行活性化一边蚀刻上述副生成物膜的蚀刻工序；和停止上述清洁反应性气体的供给并对上述反应室内进行排气的排气工序，从而进行清洁处理，由此除去堆积在上述反应室内和上述第一气体分散喷嘴内的副生成物膜，在此，上述蚀刻工序使用供给上述反应室内的上述清洁反应性气体向上述第一气体分散喷嘴中流入的条件。

主权项

1. 一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其用于在反应室内从第一喷嘴供给成膜反应性气体而在被处理基板上形成薄膜，其特征在于：为了除去堆积在所述反应室内和所述第一喷嘴内的副生成物膜，在所述反应室内没有收纳所述被处理基板的状态下，依次进行：一边向所述反应室内供给蚀刻所述副生成物膜的清洁反应性气体进行活性化一边蚀刻所述副生成物膜的蚀刻工序；和停止所述清洁反应性气体的供给并对所述反应室内进行排气的排气工序，进行清洁处理，在此，所述蚀刻工序使用供给到所述反应室内的所述清洁反应性气体向所述第一喷嘴中流入的条件。