[发明专利]镀覆装置有效
申请号: | 200810166115.2 | 申请日: | 2004-03-09 |
公开(公告)号: | CN101369533A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 栗山文夫;竹村隆;斋藤信利;木村诚章;黄海冷 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;C25D7/12;C25D5/08;C25D21/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王琼先;王永建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种镀覆装置,该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜,和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186);用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160);和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构,其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222),以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188),从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。 | ||
搜索关键词: | 镀覆 装置 | ||
【主权项】:
1.一种镀覆装置,其包括:用于保持镀液的镀槽;和具有搅拌叶片的搅拌机构,所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置,所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液;其中所述搅拌叶片在其至少一侧上具有不规则部,所述不规则部包括连续的三角形或矩形锯齿不规则部,或者以预定间距限定的多个狭槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社荏原制作所,未经株式会社荏原制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810166115.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造