[发明专利]具有浮体晶体管的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810149317.6 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101533777A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 郑璲钰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有浮体晶体管的半导体器件及其制造方法，所述方法包括：蚀刻SOI基板以露出BOX区域；使基板的侧壁外延生长；以及使已生长的硅与连接插塞多晶硅接触，以形成源极/漏极区域。该方法能够在不减小SOI基板厚度的情况下降低在源极和漏极之间发生击穿现象的可能性，并且还帮助实现接面隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：蚀刻源极/漏极区域的绝缘体上硅(SOI)基板，以露出BOX区域；使已蚀刻的基板的侧壁生长；以及在已生长的侧壁之间填充连接插塞多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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