[发明专利]具有浮体晶体管的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

蚀刻源极/漏极区域的绝缘体上硅(SOI)基板，以露出BOX区域；

使已蚀刻的基板的侧壁生长；以及

在已生长的侧壁之间填充连接插塞多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在低温下对所述连接插塞多晶硅实施退火。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

使基板生长的步骤通过未掺杂选择性外延生长工序来实施。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述选择性外延生长工序中的气体源的浓度在0至1×10²¹个离子/立方厘米的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述连接插塞多晶硅的浓度在1×10¹⁸个离子/立方厘米至5×10²⁰个离子/立方厘米的范围内。

6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在SOI基板上形成栅电极；

在所述栅电极的侧壁上形成间隔物；

蚀刻由所述间隔物露出的栅电极之间的基板，以露出BOX区域；

使已蚀刻的基板的侧壁生长；以及

在已生长的侧壁之间填充连接插塞多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在低温下对所述连接插塞多晶硅实施退火。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成间隔物的步骤包括：

在所述栅电极上形成氮化物膜；

在所述氮化物膜上形成氧化物膜；以及

利用所述氧化物膜作为阻挡体来对所述氧化物膜和所述氮化物膜实施间隔物蚀刻。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，

使所述基板的侧壁生长的步骤通过未掺杂选择性外延生长工序来实施。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

在所述选择性外延生长工序中的气体源的浓度在0至1×10²¹个离子/立方厘米的范围内。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述连接插塞多晶硅的浓度在1×10¹⁸个离子/立方厘米至5×10²⁰个离子/立方厘米的范围内。

12.一种半导体器件，包括：

栅电极，其在SOI基板上形成；以及

源极/漏极区域，其在露出BOX区域的SOI基板沟槽中填充有连接插塞多晶硅。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

介于所述SOI基板沟槽的沟槽侧壁之间的距离小于相邻栅电极之间的距离。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

在所述沟槽侧壁上实施未掺杂选择性外延生长工序。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

在低温下对所述源极/漏极区域中的连接插塞多晶硅实施退火。