[发明专利]具有自收敛底电极的相变化存储单元阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有自收敛底电极的相变化存储单元阵列及其制造方法，有关于一种相变化存储单元阵列，其是通过形成一分离层于一接点阵列之上、形成一图案化层于分离层之上、以及通过光刻工艺形成一掩膜开口阵列于图案化层之中而完成。刻蚀掩膜是形成于掩膜开口中，其形成方法补偿了掩膜开口的尺寸变化，因为开口的尺寸变化会受到光刻工艺的影响。刻蚀掩膜用以刻蚀穿过分离层以定义一电极开口阵列及裸露底下的接点。电极材料沉积于电极开口之中；以及存储元件形成于底电极之上；最后，位线形成于存储元件之上以完成存储单元。在完成的存储阵列中，底电极上表面的阈值尺寸变异是小于存储元件在掩膜开口中的宽度。

主权项

1、一种用以制造一存储单元阵列的方法，其特征在于，包括：形成一分离层于一衬底上，该衬底具有一接点阵列；形成一图案化层于位于该接点阵列上方的该分离层之上，该图案化层所包括的材料具有与该分离层不同的刻蚀特性；利用一图案化工艺形成一掩膜开口阵列于位于该接点阵列上方的该图案化层中，其中该掩膜开口阵列中的该多个掩膜开口的宽度是变化于一第一范围内，该第一范围具有一第一变化量；利用一刻蚀工艺形成刻蚀掩膜于该掩膜开口阵列中的该多个掩膜开口内以定义刻蚀掩膜开口于该多个掩膜开口内，其中该多个刻蚀掩膜开口的宽度变化于一第二范围内，该第二范围具有一第二变化量，且其中该第二变化量小于该第一变化量；利用该多个刻蚀掩膜而刻蚀穿过该分离层，以定义一电极开口阵列，以裸露该接点阵列中的对应的该多个接点；沉积电极材料于该多个电极开口中，以形成一底电极阵列与该接点阵列中所对应的该多个接点连接；形成存储元件于该底电极阵列中的该多个底电极之上并且与该多个底电极连接，该多个存储元件包括可编程电阻材料；以及形成顶电极连接至该多个存储元件。