[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810149135.9 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101399430A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 南尾匡纪;吉川则之;井岛新一;福田敏行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01L33/00;H01L23/02;H01L23/04;H01L23/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其包含射出从紫外到蓝色的波长的光的发光半导体元件，发光强度无下降、且寿命长。该半导体装置具有：作为发光半导体元件而以450nm以下的波长发光的半导体激光元件(11)；由设置了该半导体激光元件(11)的基座(12a)和封装体主体(12b)构成的封装体(12)；与封装体(12)共同覆盖半导体激光元件(11)的由光学部件(13a)和金属部件(13b)构成的盖(13)，由封装体(12)和盖(13)形成密闭空间(14)。封入密闭空间(14)内的气体，优选其构成为包含氧气15％以上且低于30％，露点被控制在-15℃以上且-5℃以下，并且优选包含氮气或氩气等惰性气体70％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：发光半导体元件；封装体，其包含安装上述发光半导体元件的由金属构成的基座；和盖，其通过覆盖上述封装体和发光半导体元件，把上述发光半导体元件与气体一同封入，上述气体的氧气浓度为15％以上且小于30％，露点为-15℃以上且-5℃以下。
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