[发明专利]生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法

摘要

一种生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III-V、II-VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。

主权项

1.一种通过作为掺杂物的含碳气体的受控掺加来生长半绝缘砷化稼材料的方法，所述方法包括以下步骤：设置具有籽晶区的坩埚；在所述坩埚内放置籽晶、砷化稼原料和氧化硼材料；将一种固态碳物质置于所述坩埚之外的一个安瓿的一个区域；在真空下封闭装有所述固态碳物质和所述坩埚的所述安瓿；以可控的方式加热被封闭的所述安瓿而使得所述砷化稼原料熔化，热量与所述固态碳物质的相互作用产生一种含碳气体，该气体通过所述氧化硼材料与所述砷化稼的熔料相互作用；并且以可控的方式冷却被封闭的所述安瓿。