[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 200810145943.8 | 申请日: | 2005-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN101355081A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 松原义久;小林弘昌 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 扩大互连的工艺裕度,以最小化在扫描型曝光设备的扫描移动期间产生的振动的影响。在半导体器件中,在包括最窄的互连或互连之间最窄的间隔的互连层中,以相同的取向布置处理大量的数据的互连,即经常使用的互连,使得互连的纵向对准扫描型曝光设备的扫描方向。因而,用图形的纵向对准振动方向能够最小化由振动引起的位置偏差。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:两个或更多逻辑模块,在这些逻辑模块中有规律地排列由P-MOS晶体管和N-MOS晶体管对构成的多个基本胞元,使得所述基本胞元在各逻辑模块中具有一致的尺寸;其中,在连接至少一个所述逻辑模块中的所述基本胞元的所述多个互连层中,第一互连层包括最窄互连或互连之间的最窄间隔,并且其中,在所述基本胞元的胞元高度短于经由绝缘层提供在所述第一互连层上的第二互连层中的电源线之间的间隔的所述逻辑模块中,在所述第一互连层中的所述经常使用的互连的纵向垂直于胞元高度方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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